類 別

專 利 名 稱

國 別

專 利 號 碼

發 明 人

專利權人

專利時間

國科會計畫編號

A1

微細鑽石多結晶粒子及其製造方法

日本

日本國特許第 1.286912號

陳家富等

東名鑽石株式會社

公開日期
‘88/05/14

公開番號
1.286912

A2

改良後之微細鑽石砥粒之製造方法

日本

日本國特許第2.038304號

陳家富等

東名鑽石株式會社

公開日期
‘88/07/29

公開番號
2.038304

A3

氣相鑽石之合成方法

日本

日本國特許第2.059492號

陳家富等

東名鑽石株式會社

公開日期
‘88/08/25

公開番號
2.059492

A4

氣相法鑽石之合成方法

日本

日本國特許第2.167892號

陳家富等

東名鑽石株式會社

開日期
‘88/12/21

公開番號
2.167892

A5

高品質鑽石之合成方法

日本

日本國特許第2.248396號

陳家富等

東名鑽石株式會社

公開日期
‘89/03/17

公開番號
2.248396

A6

再現性良好品質鑽石之合成方法

日本

日本國特許第2.263790號

陳家富等

東名鑽石株式會社

公開日期
‘89/03/31

公開番號
2.263790

A7

Improved diamond abrasive and method for producing the same.

美國

No 379,219號

陳家富等

東名鑽石株式會社

公開日期
‘89/07/11

A8

Diamond Synthesis By Chemical Vapor Deposition.

美國

No 452,400號

陳家富等

東名鑽石株式會社

公開日期
‘89/12/19

A9

Diamond of controlled quality and method for producing the same.

美國

No 494750號

陳家富等

東名鑽石株式會社

公開日期
‘90/03/16

A10

利用氣相反應法合成鑽石之方法

中華民國

發明62590

陳家富等

國科會

82.6.21~
97.6.20

NSC79-0405-E-009-13

A11

平滑鑽石膜的成長方法

中華民國

發明073431

陳家富等

國科會

84.9.11~
103.11.1

NSC-80-0416-E-009-03

A12

低溫高品質鑽石之合成方法

中華民國

發明071001

陳家富等

國科會

84.4.11~
103.11.3

NSC82-0416-E-009-250

A13

利用硼酸三甲酯為摻
雜源合成摻硼鑽石膜

中華民國

發明073355

陳家富等

國科會

84.9.11~
103.11.3

NSC82-0416-E-009-250

A14

Process for depositing
diamond by CVD

美國

No 5,635,258號

陳家富等

國科會

1997.6.3~
2015.4.3

NSC-82-0416-E-009-250

A15

Method of forming
boron-doped diamond film by CVD

美國

No 5,660,894號

陳家富等

國科會

1997.8.26~
2015.10.16

NSC82-0416-E-009-250

A16

化學蒸著法合成鑽石之方法

日本

日本國特許第2799849號

陳家富等

國科會

1998.7.10~

NSC82-0416-E-009-250

A17

區域選擇成長鑽石膜之方法

中華民國

發明118503

陳家富等

國科會

89.07.21.~
105.01.15

NSC-83-0416-E-009-014

A18

Process for selectively diamond films.

美國

No 5,961,718號

陳家富等

國科會

1999.10.5~
2015.10.16

NSC-84-2221-E-009-036

B19

大面積鑽石膜合成裝置

中華民國

新型發明099268

陳家富等

國科會

84.3.24~
95.11.3

NSC82-0416-E-009-250